• Диоды Шоттке КДШ2114АС9

Диоды Шоттке КДШ2114АС9, КДШ2114БС9, КДШ2114ВС9

Average: 7 (1 vote)
Под заказ

Связаться с менеджером

Наборы мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шоттки КДШ2114АС9, КДШ2114БС9, КДШ2114ВС9 предназначены для использования в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей, преобразователях напряжения и других блоках, и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Особенности

  • низкое прямое падение напряжения
  • высокое быстродействие
  • отсутствие заряда обратного восстановления
  • диапазон рабочих температур от - 40 до + 125 C
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Анод
№2 Катод
№3 Анод
Основные электрические параметры для одного диода
 

Параметры

Обозна- чение Ед. изм. Режимы измерения Норма, не более Темпер. окр. среды,

C

АС9 БС9 ВС9 АС9 БС9 ВС9
Постоянный обратный ток диода Iобр. мА Uобр.= 60В Uобр.= 40В Uобр= 100В 3

30

3

30

3

40

25

125

 

Постоянное прямое напряжение диода

 

Uпр.

 

 

В

Iпр=3А;

tи 300мкс; Q 50

0,58

0,54

0,55

0,50

0,85

0,70

25

125

Iпр=6А;

tи 300мкс; Q 100

0,77 0,71 1,05  
Обратное пробивное напряжение диода Uобр.

проб.

В Iобр.= 10мА min  
60 40 100  
Предельно допустимые электрические режимы
Параметры Обозначение Единица измерен. Значение
АС9 БС9 ВС9
Пробивное напряжение диода* Uпроб.max В 60 40 100
Повторяющееся импульсное обратное напряжение диода* Uобр.max В 60 40 100
Средний прямой ток диода (Ткорп=92 C, Q=2) I пр. ср. max А 2х3
Импульсный прямой ток для единичной синусоидальной полуволны (t= 10 мс, Ткорп=92 C) Iпр.и.выбр А 42
Температура перехода Тп max C 150
Тепловое сопротивление переход-корпус ** Rt п.-к. С/Вт 5
Тепловое сопротивление переход-среда ** Rt п-ср. С/Вт 80

* Для всего диапазона рабочих температур окружающей среды

** Для всего прибора