• Кремниевые транзисторы 2П771А91 фото 1

Кремниевые транзисторы 2П771А91

Average: 1 (1 vote)
Под заказ

Связаться с менеджером

Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы «2П771А91» с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Зарубежные прототипы - STP40N10.

Особенности

  • Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 100 C.
  • Категория качества ВП.
  • Корпусное исполнение - пластмассовый корпус КТ-90 (D2PAK).

Стойкость к воздействию спецфакторов - И1, И2, И3, К1 – 1У; С3 - 0.7х1У; К3 - 0.5х1У в соответствии с ГОСТ В 20.39.404 – 81. Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.243ТУ.

Технические характеристики
Паpаметpы Буквенное обозначение Ед. изм. Норма
Напpяжение сток-исток Uси max В 100
Напpяжение затвор-исток Uзи max В ±20
Постоянный ток стока при Ткорп 25 С Iс max А 40
Постоянный ток стока при Ткорп 100 С Iс max А 28
Импульсный ток стока (tи 80 мкс) Iс и max А 160
Постоянный прямой ток диода Iпр. max А 40
Постоянный импульсный прямой ток диода Iпр. и max А 160
Максимально допустимая энергия одиночного импульса, рассеиваемая транзистором в режиме лавинного пробоя Uси=25 В, I с=40 А, Rr =25 Ом, L= 190 мкГн ЕAS мДж 210
Рассеиваемая мощность при Т корп. 25 С Pmax Вт 150
Темпеpатуpа пеpехода (кристалла) Тпеp С 175
Тепловое сопротивление переход-корпус Rtп-к С / Вт 1,0
Тепловое сопротивление переход-среда (для КТ-28-2) Rtп-среда С / Вт 62,5