• Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т652А

Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т652А

Average: 10 (1 vote)
Под заказ

Связаться с менеджером

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключающий транзистор "2Т652А" в металлокерамическом корпусе, предназначенный для использования в аппаратуре специального назначения.

Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.304 ТУ.

Корпусное исполнение - металлокерамический корпус КТЮ-27-3.

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма  
не менее не более  
Обратный ток коллектора, мА, при UКБ = 50 В IКБ0 - 30  
Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 4 В IЭБ0 - 100  
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 3 В, IК = 500 мА, n 30 мкс, Q 50) h21Э 25 100  
Время рассасывания, (IК = 500 мА, IБ1 = IБ2 = 50 мА, n 30 мкс, Q 50), нс tрас - 100  
Емкость коллекторного перехода, (UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 107 Гц), пФ СК - 12  
Емкость эмиттерного перехода (UЭБ = 0, IК = 0, f = 107 Гц), пФ СЭ - 110  
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, (IК =500 мА, IБ = 50 мА, n 30 мкс, Q 50), В UКЭ нас - 0,65  
Напряжение насыщения база-эмиттер, (IК = 500 мА, IБ = 50 мА, n 30 мкс, Q 50), В UБЭ нас - 1,2  
Граничное напряжение, (IК= 10 мА, IБ = 0, n 30 мкс, Q 50), В UКЭОгр 36 -  
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 10 В, IК = 50 мА, f = 108 Гц), МГц fгр 200 -