Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
![Нет фото](/files/mark/nophoto350.jpg)
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор 2П525А-5
Связаться с менеджером
Транзистор "2П525А-5" кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП. Корпусное исполнение: кристаллы на общей пластине. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.576 ТУ.
Требования стойкости к внешним воздействующим факторам
Транзистор должен быть стойким к воздействию механических, климатических, биологических факторов и специальных сред по ГОСТ В 28146, по группе 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 со следующими уточнениями:
- механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 15 000 м с-2 (1500 g) и длительностью действия (0,1 – 2) мс;
- линейное ускорение 5 000 м с-2 (500 g);
- акустический шум в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления (относительно 2 10-5 Па) 170 дБ;
- атмосферное пониженное давление 1,3 10-4 (10-6 ) Па (мм рт. ст);
- повышенная рабочая и предельная температура среды 125 С;
- повышенная относительная влажность воздуха 98 % при температуре 35 С.
Указания по эксплуатации
Применение транзистора в режимах и условиях, отличных от требований ТУ, должно быть согласовано в соответствии с ГОСТ 2.124, ОСТ 11 336.907.0, РД 11 336.935. Резонансные частоты в диапазоне частот от 10 Гц до 20 000 Гц отсутствуют. Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и паяльником. Температура пайки не выше 265 °С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Перепайка транзистора не допускается. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением испытаний потребителем.
При монтаже транзистора корпус должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса вывод не испытывал вращающих или изгибающих усилий. Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в три слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730 ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя. Транзистор после снятия с эксплуатации подлежит утилизации без применения специальных методов. Для обеспечения теплового сопротивления R пер-окр 40 °С/Вт рекомендуется применение теплоотводящей металлизированной площадки размером не менее 15 х 25 мм на стеклотекстолите толщиной 1 мм СФ-1-50Г-1,0 ГОСТ 10316 или другого материала по физико-химическим свойствам не хуже указанного.
Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
не менее | не более | |||
Остаточный ток стока, мкА (UЗИ = 0 В,UСИ = 100 В) | IС. ост | - | 25 | 25 |
Ток утечки затвора, мкА (UЗИ = ± 10 В, UСИ = 0 В) | IЗ. ут | - | ±3 | 25 |
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом (UЗИ = 5 В, IС = 1 А, tи 2 мс, Q 50) | RСИ. отк | - | 1,4 | 25 |
Пороговое напряжение, В (UЗИ = UCИ, IС = 1 мА) | UЗИ. пор | 1,5 | 2,5 | 25 |
Постоянное прямое напряжение диода, В (UЗИ = 0 В, IС = - 1 А, tи 2 мс, Q 50) | Uпр | - | 2,0 | 25 |