• Транзистор КТ8177В фото 1

Транзистор КТ8177В

Голосов пока нет
Под заказ

Связаться с менеджером

Транзистор КТ8177В p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в усилителях и переключательных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Номер технических условий

  • АДБК. 432150.654 ТУ

Особенности

  • Диапазон рабочих температур: - 60 до + 100 С
  • комплиментарная пара КТ8176

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 База
№2 Коллектор
№3 Эмиттер
Основные электрические параметры КТ8177 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозначение Ед.измер Режимы измерения Min Max
Гр. напряжение коллектор-эмиттер КТ8177А

КТ8177Б

КТ8177В

* Uкэо гр. В Iк=30mA,   Iб=0 60

80

100

-
Обратный ток коллектор-эмиттер КТ8177А

КТ8177Б

КТ8177В

Iкэк мА Uкэ=60В, Uэб=0 Uкэ=80В, Uэб=0 Uкэ=100В, Uэб=0 - 0,2
Обратный ток коллектор-эмиттер КТ8177А

КТ8177Б

КТ8177В

Iкэо мА Uкэ=30B, Iб=0 Uкэ=60В, Iб=0 - 0,3
Обратный ток эмиттера Iэбо мА Uэб=5В, Iк=0 - 1
Статический коэффициент передачи тока * h21э - Uкэ=4B, Iк=1A Uкэ=4B, Iк=3A 25

10

50
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер *Uкэ нас В Iк=3A, Iб=375мA - 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер *Uбэ нас В Iк=3A, Iб=375мA - 1,8
Граничная  частота   коэф.  передачи тока fгр. МГц Uкэ=10B, Iк=0,5A,

f=1МГц

3,0 -

*- tи 100

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ8177
Параметры Обозначение Ед. измер. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 60
КТ8177А
КТ8177Б 80
КТ8177В 100
Напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max В 60
КТ8177А
КТ8177Б 80
КТ8177В 100
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 5
Постоянный ток коллектора Iк max А 3
Импульсный ток коллектора Iки max А 5
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 1
Рассеиваемая мощность коллектора: при Ткорп = от -60 до +25 С

при Тсреды= от -60 до +25 С

Pк max Вт 40

2

Температура перехода Tпер C 150