Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
![Нет фото](/files/mark/nophoto350.jpg)
Транзисторные ключи с низким спадом напряжения
Под заказ
Связаться с менеджером
Транзисторные ключи с низким спадом напряжения предназначены для использования в качестве ости силовых ключей в устройствах силовой преобразовательной техники и электроники.
Модификации
Транзисторные ключи с низким спадом напряжения разрабатываются на дискретных элементах в таких типоисполнениях:
- GBT - транзисторов и биполярных составляющих транзисторов Дарлингтона с последовательно включенным диодом- в соответствии: IGBT-VTD и БТД - VTD ;
- IGBT - транзисторов и биполярных составляющих транзисторов Дарлингтона с четвертым отделенным электродом утечки и коллектора - в соответствии : IGBT -4 Е и БТД -4 Е , где : З - затвор , К - коллектор, Е - эмиттер , В - утечка, Кв - уединенный коллектор.
Особенности
- снижение спада напряжения на ключи в сравнению с аналогами - к 30 ... 50%;
- применение ключей IGBT-VTD и БТД - VTD в кругах переменного тока не требует включения последовательно с ними силовых диодов,
- снижение динамических потерь энергии к 25 ... 30% при применении внешнего последовательно включенного с IGBT -4 Е и БТД - VTD дросселя насыщения .